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    公开号:WO1991019825A1
    申请号:PCT/JP1991/000829
    申请日:1991-06-20
    公开日:1991-12-26
    发明作者:Yozo Suga；Yoshiyuki Ushigami；Hodaka Honma；Nobuyuki Takahashi
    申请人:Nippon Steel Corporation；
    IPC主号:C22C38-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 超高珪素方向性電磁鐧板およびその製造方法 〔技術分野〕
    [0002] 本発明は、 高珪素を舍有する一方向性電磁鐧板およびその 製造方法に関し、 特に、 S i を 5〜7. 1 %舍有する、 従来に ない画期的な磁気特性をもつ軟磁性材料およびその製造方法 に関するものである。
    [0003] 〔背景技術〕
    [0004] 一方向性電磁鐧板は、 鋼板面が { 110 } 面で、 圧延方向に <001> を有する所謂ゴス方位 （ミ ラー指数で { 110 } <001> 方位と表す） をもつ結晶粒から構成されており、 軟磁性材料 として変圧器、 発電機等大型回転機の鉄心に使用される。 こ の鋼板は、 磁気特性として磁化特性と鉄損特性が良好でなけ ればならない。 磁化特性の良否は、 かけられた一定の磁力の 下で鉄心内に誘起される磁束密度の高さによつて決定される。 軟磁性材料 （一方向性電磁鐧板） の磁束密度を高くするこ と は、 鋼板結晶粒の方位を { 110 } <001> 方位に高度に揃える ことによつて達成できる。
    [0005] 鉄損は、 鉄心に所定の交流磁場を与えたときに熱ヱネルギ として消費される電力損失である。 一方向性電磁鋼板の鉄損 特性の良否には、 磁束密度、 板厚、 不純物量、 比抵抗、 結晶 粒の大きさ等が影響する。 磁束密度 （通常、 B 8 値で表され る） の高い一方向性電磁鐧扳は、 電気機器を小型化すること を可能ならしめるとともに、 鉄損値も低い （良好な） ものと なるから、 当該技術分野においては一方向性電磁鋼板の磁束 密度を高くすることに努力が傾注されてきた。
    [0006] ところで、 一方向性電磁鐧扳は、 熱間圧延と冷間圧延と焼 鈍の適切な組合せによって最終板厚とされた鋼板を仕上高温 焼鈍することにより、 { 110 } <001 > 方位を有する一次再結 晶粒が選択成長する、 所謂二次再結晶によって得られる。 二 次再結晶は
    [0007] a ) 二次再結晶前の鐧板中に微細な折出物、 たとえば MnS , A l N，MnSe等が存在すること或は、 S n , S b , P等の粒界存在型 の元素が存在すること （イ ンヒビターと呼ばれる） 、
    [0008] b ) 適切な一次再結晶組織、 たとえば結晶粒が均一である こと或は、 { 110 } <001 > 方位粒が成長し易い集合組織であ ること、
    [0009] といつた条件が満足されるときに達成される。
    [0010] このような一方向性電磁鋼板の製造方法の中で、 特に高い 磁束密度をもつ製品を得ることができる製造技術として、 田 口、 坂倉によって特公昭 40- 15644号公報に開示された、 α→ r変態成分系の中で調節された A 1 N をィ ンヒビターとして活 用しさらに、 強冷間圧延後の一次再結晶組織との併用を特徴 とする技術がある。 この技術を改良したものに、 特公昭 54— 13846 号公報に開示された、 冷間圧延におけるバス間で鐧板 を 50〜 350 'Cの温度域に保持する過程を舍む製造技術がある, 特公昭 40- 15644号公報に開示された技術における問題点は 製品の鉄損を低く するために S i の含有量を多く すると、 特 公昭 61-60896号公報に記載されているように、 製品に線状の 二次再結晶不良部が発生し、 高い磁束密度をもつ製品を得る ことができない。 また、 特開昭 48-51852号公報に開示されて いるように、 前記特公昭 40-15644号公報に開示された技術に おいては、 熱間圧延中に or→ r変態が生じることが必須であ るところから S i の含有量を多く するほど C含有量を多く す る必要があり、 さらには高温での熱間圧延も必要になるため、 S i の含有量を多くするこ とに限界がある。 このような課題 を解決する技術として、 特公昭 61-60896号公報、 特公昭 62— 45285 号公報に開示された技術がある。
    [0011] 一方、 特開昭 56-13433号公報には、 珪素鋼板の冷間圧延性 を向上させるために、 鐧中 Cを 0.02%以下とすることが開示 されている。 この公報においては、 冷間圧延性向上の観点か ら Cは可及的に少なく する必要があるとされ、 0.004%以下 とすることが推奨されている。 叙上の一方向性電磁鋼板の製 造技術にあっては、 何れも鐧中 S i 量が高々 4.8 %である。 一般に広く知られているように、 S i 量が約 6.5 %になる と製品の透磁率が極めて高く なり、 優れた磁気特性を示すよ うになる。 6.5 % S i 舍有一方向性電磁鋼板は、 次世代材料 として期待されているにもか わらず、 その製造技術に関す る開示は極めて少ぃ。
    [0012] 〔発明の開示〕
    [0013] 本発明は、 従来、 二次再結晶が困難であると考えられてい た高 （ 5〜7. 1 %) S i 舍有鐧について、 高い配向度で二次 再結晶させる技術と、 極めて脆いために冷間圧延することが 極めて困難であつた高 （ 5〜7. 1 %) S i 舍有鐧を冷間圧延 する技術を両立させて、 5〜7. l % S i 舍有一方向性電磁鐧 板およびその製造方法を提供することを目的とする。
    [0014] 本発明は上記目的を達成するため鐧成分と冷間圧延の圧延 温度を特定することにより冷間圧延性を大幅に向上するとと もに、 脱炭焼鈍から仕上焼鈍における二次再結晶開始までに 窒化処理を施して二次再結晶を十分に折出せしめたものであ り、 これによつて 6.5 % S i といった高い S i 含有量の優れ た磁気特性をもつ究極の一方向性電磁鋼板を得ることができ たのである。
    [0015] すなわち、 本発明の要旨とするところは、 重量で S i ： 5 〜7. 1 %を含み、 残部が実質的に Fe からなり、 圧延によつ て最終板厚とされ、 かつ方位配向度 R ( B 8 /B s ) が 0.87 以上の二次再結晶組織を有する、 50HZでの耐磁時の磁束密度 B 8 が 1.57以上の超高珪素方向性電磁鐧板にある。
    [0016] さらに本発明の他の要旨は、 重量で、 C ： 0.005〜 0.023 %、 S i ： 5〜7. 1 %、 S≤ 0.014%. 酸可溶性 A 1 ： 0.013 〜 0.055%、 total N≤0.0095% 残部 Fe および不可避的 不純物からなる超高珪素鐧板を、 必要により 800〜： LIOO'Cの 温度域で焼鈍し、 120〜 380ての温度域で冷間圧延し、 脱炭 焼鈍し、 焼鈍分離剤を塗布し巻き取ってス ト リ ップコイルと した後、 二次再結晶を目的とする仕上高温焼鈍を施すととも に、 前記脱炭焼鈍から仕上高温焼鈍工程における二次再結晶 開始までの何れかの過程で鋼板に窒化処理を施し増窒する超 高珪素方向性電磁鋼板の製造方法にある。
    [0017] 〔図面の簡単な説明〕
    [0018] 第 1図は、 S i 含有量が 6.5 %である方向性電磁鐧板の鉄 損値 W10/50と、 磁束密度 B 8(T ) の関係を示す図である。 第 2図は冷間圧延割れ状況と磁束密度 B B(T ) に及ぼす冷 間圧延温度と鐧中 Cとの影響を示す図である。
    [0019] 〔発明を実施するための最良の形態〕
    [0020] 次に、 本発明を実施するための最良の形態を図に基づいて 説明する。
    [0021] 通常鐧の S i 含有量を増して行く と鉄損が低く なる。 特に、 S i ： 6.5 %付近では磁歪が最小となるので、 変圧器の鉄心 に使用すると騒音が小さ く極めて好都合であることが、 無方 向性電磁鐧板等で明らかにされている （J.ApPl.Phys.， vol. 64, No.10 (1988)5376) 。
    [0022] 本発明者らはかゝる材料について方向性電磁鋼板の製造の 可能性を検討したところ、 上記高 S i 舍有鐧に対して二次再 結晶による集合組織制御を行い、 結晶粒の方位集積度を高め ることによって、 圧延方向に磁化したときの鉄損を良好なら しめることができることを知見した。
    [0023] 本発明の超高珪素一方向性電磁鐧板は結晶粒の方位集積度 が高く、 同一板厚の従来の電磁鋼板より良好な鉄損特性を有 する。 第 1図は Si 含有量が 6.5 %である方向性電磁鋼板の鉄損 値 。ハ。と磁束密度 B8(T) の関係を示すが、 該図のように、 本発明は 0.32mm厚の製品において、 磁束密度 （B8 値） が
    [0024] B 8 >1.57T即ち、 B8 /B s >0.87 ( Bs ： 飽和磁束密度） という高い方位配向度を有し、 このときの鉄損値は、 W10ハ。 ： O.SSwZkgという低い値であり、 本発明の、 5〜7.1 %の Si を舍有し二次再結晶組織を有する一方向性電磁鋼板が、 全く 新しい軟磁性材料であることが解る。
    [0025] ちなみに、 0.30mni厚さの 3 % S i —方向性電磁鐧板の
    [0026] W10 5。値は、 0.35wノ kgであり （図中 （ C) 点） 、 0.30mm厚 さの 6.5 %Si 無方向性電磁鐧板の 。ハ。値は、 0.50wZkg であって （図中 （A) 点） 、 本発明の、 5〜？ .1 %の Si を 舍有し二次再結晶組織を有する一方向性電磁鋼板が、 これま でにない高い方位配向度を有するものであることが解る。 な お、 図中 （B ) 点は 0.40厚さの 3 %Si —方向性電磁鋼板の W10/50値、 図中 （D ) 点は 0.25厚さの 3 % S i —方向性電磁 鐧板の 1^。/5。値を示す。
    [0027] このように優れた方位配向組織を有する 5〜7.1 %Si — 方向性電磁鐧板を製造する技術的手段について、 以下に詳細 に説明する。
    [0028] 本発明の 5〜7. 1 %Si —方向性電磁鐧板は、 圧延プロセ スの途中で鐧板を摻珪処理することなく、 温間圧延によって 最終板厚とされるから、 製品形状 （平坦さ） が良好であり、 製品を積層して変圧器鉄心等に加工するとき、 占積率を高く することができ、 変圧器等のビルディ ング · ファクターを小 さ く することができる。
    [0029] 本発明を特徴づける基本構成要件は、 二次再結晶に必要な ィ ンヒ ビターの形成方法として、 最終冷間圧延後の一次再結 晶焼鈍工程或はその後の追加焼鈍工程または二次再結晶と鐧 の純化を目的とする仕上高温焼鈍工程における二次再結晶発 現前の昇温過程の何れかにおいて鐧板に窒化処理を施すこと を基盤にし、 鐧板の冷間圧延を可能ならしめる冷間圧延温度 と材料の C含有量ならびに高い磁束密度を有する製品を得る ことができる材料の C含有量と冷間圧延温度の 2っの条件領 域の組合せにある。
    [0030] 本発明者らは材料の C含有量と冷間圧延温度との関係を究 明するため次のような実験を行った。
    [0031] 先ず、 S i ： 6.58%. S ： 0.003%、 total N ： 0.0065% を舍有する溶鐧を、 分注によって Cをそれぞれ 0.001%、 0.005%、 0.009%、 0.020%. 0.026%、 0.037%. 0.056 %に調整し、 7箇のスラブを铸造した。 このスラブを 1200て に加熱した後、 熱間圧延して 2.0關厚さの熱延板とし、 次い で、 1000'C X 2分間の焼鈍を施した後冷間圧延によって 0. 2 mm厚さの鐧扳とした。 冷簡圧延を施すに際し、 1パス当りの 圧下率を 10〜20%の範囲とし、 圧延温度を室温 （23て） 〜 400 *Cの範囲で第 2図に示すように変えた。
    [0032] 得られた冷延板を湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍し、 ア ンモニ ァガスを舍む雰囲気中で約 30ρρηι の増 N処理を施し、 次いで MgO を主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、 二次再結晶と 鐧の純化を目的とする 1200て XlOhrs の仕上高温焼鈍を施し た。
    [0033] これらの条件下での鐧板の冷閭圧延時の材料の "割れ" 発 生状況と製品の磁束密度 （ B a 値） を第 2図 （上段数字） に 示す。 従来、 一般に知られている 3 %前後の S i を舍有する 電磁鐧の飽和磁束密度は 2.03Tであるのに対し、 6.5 % S i 鐧の飽和磁束密度は 1.80Tである。 第 2図中の B 8 値が低い 値のように見えるけれども、 飽和磁束密度に対して如何に高 いレベルであるかを明確にするために、 第 2図においては、 B 8 値の下段に飽和磁束密度に対する％表示を行った。 なお、 現行の J I S規格で高磁束密度一方向性電磁鐧板として常用 されているものは、 B B 値が 1.92T前後であり、 飽和磁束密 度の 94.6%に相当し、 汎用の一方向性電磁鐧板の B 8 値は 1.85Tであって、 飽和磁束密度の 91.1%に相当する。 従って、 飽和磁束密度の 91.1〜94.6%の B 8 値をもつ一方向性電磁鐧 板が目標となる。
    [0034] 第 2図から、 6.5 % S i 鐧を冷間圧延するときの "割れ" の問題は、 圧延温度を高くすることによって減少しさらに、 "割れ" 発生限界温度は、 鐧中 C量が多いほど高く なること が分る。 しかしながら、 冷間圧延性の観点から圧延温度を高 く し過ぎるとまた、 鐧中 C量を低く し過ぎると、 第 2図から 明らかなように、 高い磁束密度を有する製品を得ることがで きない。
    [0035] 本発明は第 2図の点線で囲まれた区域を本発明の範囲内と するが、 飽和磁束密度が 90%以上の B a 値をもち、 かつ冷間 圧延性が良好であり、 更に磁歪が最低である優れた方向性電 磁鐧板を得ることができる。
    [0036] 以下に、 本発明の詳細を、 その構成要件に即して説明する 本発明において用いる溶鐧は、 その溶製方法を限定されな い。 成分含有量が、 次の範囲内であることが必要である。
    [0037] S i は、 本発明の目標が、 磁歪が最小となる略 6.5 % S i 鉄を工業的に製造し得るプロセスの確立にあることに鑑み、 6.5 %を中心として若干の幅をもつ範囲であればよい。 S i 含有量の下限は、 従来、 市販されていない範囲で 5 %とし、 可及的に 6.5 %に近い値であることが本発明の目的に合う。
    [0038] S i 含有量の上限は、 7. 1 %である。 S i を 7. 1 %を超えて 舍有せしめると、 冷間圧延性が極度に劣化するにも拘わらず、 得られる製品の磁気特性はむしろ良く ない。
    [0039] 本発明において、 最も磁束密度 （ B 8 値） が高く なる C舍 有量は、 0.012%前後であり、 0.005%から磁束密度 （ B 8 値） 向上効果が現れ、 C含有量が多く なると冷間圧延性が劣 化するとともに、 磁束密度 （ B 8 値） も悪く なる傾向がある。 本発明においては、 前述の冷間圧延性も考慮して C含有量範 囲を 0.005〜 0.023%とする。 この C含有量範囲は、 本発明 における S i 含有量の場合、 or — r変態を全く生じない成分 域にある。
    [0040] S舍有量が 0.014%を超えると、 圧延方向に並ぶ線状の二 次再結晶不良部が発生する。
    [0041] 酸可溶性 A1 は、 二次再結晶発現に必須であるイ ンヒビタ 一を形成するために、 その含有量を 0.013〜 0.055%と限定 した。 to ta l Nは、 これが多く なると鐧板表面にブリスターと呼 ばれる脹れ状欠陥が発生し易く、 0. 0095 %を超えるとその発 生頻度が著しく高く なり製品とならない。
    [0042] 叙上の成分範囲にあるスラブを、 熱間圧延し熱延板とする < その際、 スラブ加熱温度が高く なり過ぎると、 製品の磁束密 度 （ B 8 値） が劣化し始めるのみならず、 加熱エネルギの多 量消費、 加熱炉捕修頻度が高く なり メ イ ンテナンスコス トを 上昇せしめるとともに設備稼働率を低下せしめることに起因 する作業コス トの上昇を招く。 スラブ加熱温度が 1270 'C以下 であれば、 加熱時のスラブのたわみやノ ロ （滓） の発生もな く、 作業コス トを上昇せしめることもない。 また、 本発明に おいては、 溶鐧を 2. 3 mm前後の薄帯に铸造することによって 熱間圧延を省略する製造プ口セスを採ることもできる。
    [0043] 熱延板或は铸造薄帯を 800〜1100ての温度域で焼鈍するこ とによって、 高い磁束密度 （ B 8 値） をもつ製品を得ること ができる。 この焼鈍は、 低温度の場合には時間を長く、 高温 度の場合には短時間とする。 この焼鈍によって製品の磁束密 度を高くすることができるけれども製造コス トを上昇せしめ るから、 必要とする製品磁気特性によってその採否を決めれ ばよい。
    [0044] 次いで、 材料に冷間圧延を施す。 その際、 圧延温度が低い と材料に "割れ" を発生し易く、 逆に圧延温度が高過ぎると 製品の磁束密度 （ B 8 値） を劣化させるから、 本発明におい ては、 これら両条件を満足する 120〜 380 'Cの範囲内の圧延 温度とする。 冷間圧延における圧下率を 80〜94%の範囲とすることによ つて、 高い磁束密度をもつ製品とすることができ、 90%前後 の圧下率のときに最高の磁束密度となる。
    [0045] 得られた冷延板に、 一次再結晶と鐧中の Cを減少させるこ とを目的として、 湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍を施す。 脱炭焼 鈍後、 材料に焼鈍分離剤を塗布する。
    [0046] 然る後、 二次再結晶と鋼の純化を目的とする仕上高温焼鈍 を材料に施す。
    [0047] 本発明にあっては、 脱炭焼鈍後の鐧扳 （ス ト リ ップ） を窒 化能のある雰囲気中で短時間焼鈍する方法或は仕上高温焼鈍 工程の昇温過程における二次再結晶開始までの間に鐧板を窒 化処理する方法の何れか一方または双方を組合せるこ とによ つて、 二次再結晶に必要な窒化物 （ィ ンヒビター） を形成す ることを必須とする。 なお、 後者の方法によって窒化物 （ィ ンヒビター） を形成する場合、 仕上高温焼鈍がス ト リ ップコ ィ ルの形態でなされる場合が多く、 従って仕上高温焼鈍工程 における焼鈍雰囲気からの窒化は均一性等の点で問題があつ て実施困難なので、 焼鈍分離剤に窒化能のある化合物を添加 することが均一な窒化のために有効である。
    [0048] (実施例）
    [0049] 実施例 1
    [0050] S i : 6.53%、 S ： 0.006%、 酸可溶性 A1 ： 0.023%、 total N ： 0.0065%を舍有する溶鐧を分注し、 Cをそれぞれ 0.002%、 0.010%. 0.047%に調整し、 3個のスラブとし た。 これを 1230'Cに加熱後、 2.0 mm厚の熱間圧延板とし、 1000'C X 2 min の焼鈍を行ない、 冷間圧延により 0.2關厚の 板とした。 この冷間圧延の板温を 80 、 220て、 400'Cとし、 約 12回のパス回数で行なつた。 これを湿水素雰囲気中で脱炭 焼鈍し、 ァンモユア雰囲気中で約 300ppraの增 N処理を行ない、 焼鈍分離剤として MgO を塗布し、 二次再結晶と鐧の純化を目 的とした 1200'C X10時間の仕上高温焼鈍を行なった。 この時 の冷間圧延時の割れ状沅と、 得られた成品の磁束密度を第 1 表に示した。
    [0051] 第 1 表
    [0052]
    [0053] * R ： 飽和磁束密度に対する Ββ の割合 (%)
    [0054] 鐧中じが 0.002%のものは、 いずれの圧延温度でも圧延は 可能であつたが、 B 8 が低下した。 鐧中 Cが 0.047%のもの は、 80'Cと 220'Cの圧延温度は圧延不能であつたが、 400'C では圧延が良好であった。 但し、 B 8 は不良であった。 これ らに対し、 本発明範囲の鐧中じが 0.010%、 圧延温度が 220 •Cのものは割れがなく、 B B も良好であった。
    [0055] 実施例 2
    [0056] S i : 6.55%、 C ： 0.012%、 S ： 0.005%、 total N ： 0.0065%を舍有する溶鐧を分注し、 酸可溶性 A1 をそれぞれ 0.005%. 0.026%、 0.059%に調整し、 3個のスラブとし た。 これを 1230てに加熱後、 2. 0 mm厚の熱間圧延板とし、 1000'C X 2分の焼鈍を行ない、 板温 80'C、 220 *C . 400 で 冷間圧延により 0. 2 mm厚の板とした。 これを湿水素雰囲気中 で脱炭焼鈍し、 ア ンモニア雰囲気中で約 300ppmの増 N処理を 行ない、 焼鈍分離剤として MgO を塗布し、 二次再結晶と鐧の 純化を目的とした 1200 'C X 10時間の仕上高温焼鈍を行なつた 得られた成品の磁束密度を第 2表に示した。
    [0057] 第 2 表
    [0058]
    [0059] R ： 飽和磁束密度に対する B 8 の割合 （％)
    [0060] 鐧中 Al が本発明外の 0.005%、 0.059%のものは二次再 結晶しなかった。 本発明範囲内の鐧中 A1 0.026%で、 圧延 温度が 220'Cのものは割れが無く、 B 8 も良好であった。
    [0061] 実施例 3
    [0062] 実施例 2で用いた脱炭焼鈍板について、 一つはそのまま、 一つはァンモユア雰囲気中で約 300ppmの增 N処理を行なつた。 この 2種類の板について、 焼鈍分離剤として （ A ) MgO, ( B ) MgO + 5 %窒化フエロマンガンを塗布し、 二次再結晶と鐧の 純化を目的とした 1200'C X10時間の仕上高温焼鈍を行なった。 得られた成品の磁束密度と、 二次再結晶発生状況を第 3表に 示した。
    [0063] 第 3 表
    [0064]
    [0065] R ： 飽和磁束密度に対する B B の割合 （％)
    [0066] 脱炭焼鈍板にアンモニア雰囲気中で窒化処理した場合、 焼 鈍分離剤中に窒化能のある窒化フエロマンガンを添加した場 合、 あるいは両者を組合せた場合、 いずれについても高 B 8 の二次再結晶が得られた。
    [0067] 実施例 4
    [0068] C ： 0.014%. S ： 0.007%. 酸可溶性 A1 ： 0.029%、 total N ： 0.0075%を舍有する溶鐧を分注し、 S i をそれぞ れ 5.20%、 6.53%、 7.56%に調整し、 3個のスラブとした。 これを 1150てに加熱後、 2. 0 mm厚の熱間圧延板とした。 これ ら熱間圧延板について、 一つはそのまま、 一つは 1000'C X 2 分の焼鈍を行ない、 冷間圧延により 0.2 厚の板とした。 こ の冷間圧延の板温を 270'C とし、 約 14回のバス回数で行なつ た。 これを湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍し、 アンモニア雰囲気 中で約 lOOppmの増 N処理を行ない （ 5 %窒化フエロマンガン + MgO)を塗布し、 二次再結晶と鐧の純化を目的とした 1200'C X 10時間の仕上高温焼鈍を行なつた。 冷間圧延の割れ状況と 得られた成品の磁束密度を第 4表に示した。
    [0069] 第 4表
    [0070]
    [0071] *R ：飽和磁束密度に対する B 8 の割合 （％)
    [0072] 7.56% S i 舍有材は二次再結晶による配向度が、 5.20% S i 舍有材と 6.53% S i 舍有材に比べ若干悪かった。
    [0073] 〔産業上の利用可能性〕
    [0074] 本発明によれば、 磁気特性わけても鉄損が極めて低く、 か っ磁歪が無く、 透磁率の高い 6.5 % S i 前後の超高 S i 含有 の一方向性電磁鐧板を製造出来、 エネルギー損失の少な く騒 音の小さい変圧器等を供給出来る効果がある。
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    1. 重量で、 S i ： 5〜7. 1 %を含み、 残部が実質的に Fe からなり、 かつ方位配向度 R ( B 8 ノ B s ) が 0.87以上 の二次再結晶組織を有することを特徴とする 50Hzでの励磁時 の磁束密度 B 8 が 1.57以上の超高珪素方向性電磁鐧板。
    但し、 B s ： 飽和磁束密度
    2. 最終板厚の前記鋼板が圧延加工板である請求の範囲 1 に記載の方向性電磁鋼板。
    3. 重量で C ： 0.005〜 0.023%、 S i ： 5〜7. 1 %、 S ≤ 0.014%、 酸可溶性 A1 ： 0.013〜 0.055%、 total N≤ 0.0095%、 残部 ： Fe および不可避的不純物からなる超高珪 素鐧板を、 120〜 380'Cの温度域で冷間圧延し、 脱炭焼鈍し， 焼鈍分離剤を塗布し巻き取ってス ト リ ップコイルとした後、 二次再結晶を目的とする仕上高温焼鈍を施すとともに、 前記 脱炭焼鈍から仕上高温焼鈍工程における二次再結晶開始まで の何れかの過程で鋼板に窒化処理を施し增窒することを特徴 とする超高珪素方向性電磁鐧板の製造方法。
    4. 冷間圧延前の超高珪素鐧板が熱間圧延板である請求の 範囲 3に記載の製造方法。
    5. 冷間圧延前の超高珪素鋼板が連続铸造铸片である請求 の範囲 3に記載の製造方法。
    6. 前記超高珪素鐧板を 800〜1100ての温度域で焼鈍した 後冷簡圧延を施す請求の範囲 3に記載の製造方法。
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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    1991-12-26| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
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